[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括第一衬底部分以及被设置为从所述第一衬底部分离开一距离处的第二衬底部分。所述第一衬底部分包括界定至少一个半导体鳍的第一有源半导体层、以及直接在所述鳍上形成的第一多晶层。所述第一多晶层被构图以界定至少一个半导体栅极。所述第二衬底部分包括被夹置在第二有源半导体区与氧化物层之间的掺杂区。所述氧化物层保护所述第二有源半导体区和所述掺杂区。所述掺杂区包括被所述第一掺杂区分隔开的第一掺杂区域和第二掺杂区域以界定耗尽区。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在形成所述半导体器件的第一衬底部分上的至少一个半导体鳍上沉积掩蔽层；在位于从所述第一衬底部分离开一距离处的第二衬底部分上形成平面衬底；在所述掩蔽层上以及所述平面衬底上形成氧化物层；在被设置在所述平面衬底上的所述氧化物层上形成抗蚀剂层；以及蚀刻被设置在所述掩蔽层上的所述氧化物层，使得：所述第一衬底部分不包括所述氧化物层，并且所述第二衬底部分包括所述氧化物层。