[发明专利]一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法有效
| 申请号： | 201410136051.7 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103887330A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;王敬贤;刘超铭;刘文宝;杨剑群;季轩;田智文;何世禹 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学;中国航天标准化研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/47;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张利明 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 发射极 电极 接触 方式 辐照 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件，其特征在于，该双极器件的金属层与发射区利用异质结特性材料增强电极结构连接。
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