[发明专利]通过阳极化形成具有介质隔离的体SiGe鳍片有效
| 申请号： | 201410089855.6 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051502B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | T·N·亚当;程慷果;B·B·多里斯;P·哈希米;A·卡基菲鲁兹;A·雷茨尼采克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 于静,张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过阳极化形成具有介质隔离的体SiGe鳍片。提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括提供包括硅层、掺杂半导体层和未掺杂硅锗层的材料叠层。通过蚀刻穿过未掺杂硅锗层、掺杂半导体层并且蚀刻含硅层的一部分，由材料叠层形成至少一个鳍片结构。形成与至少一个鳍片结构的至少一个端部接触的隔离区域。阳极化工艺去除至少一个鳍片结构的掺杂半导体层以提供空隙。沉积介质层以填充在硅层和掺杂半导体层之间的空隙。然后在至少一个鳍片结构的沟道部分形成源极和漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 阳极 形成 具有 介质隔离 sige | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供材料叠层，所述材料叠层包括硅层、在所述硅层的表面上的掺杂半导体层以及在所述掺杂半导体层上的未掺杂硅锗层；通过蚀刻穿过所述未掺杂硅锗层、所述掺杂半导体层以及所述硅层的一部分从所述材料叠层形成至少一个鳍片结构；形成支撑材料，其与至少一个鳍片结构的至少一部分接触；用阳极化工艺去除所述至少一个鳍片结构的所述掺杂半导体层，以在所述硅层和所述未掺杂硅锗层之间提供空隙；沉积介质层以填充在所述硅层和所述未掺杂半导体层之间的空隙；以及形成源极和漏极区域，在所述至少一个鳍片结构的沟道部分上。
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