[发明专利]半导体装置与应用其的半导体装置封装体

摘要

一种半导体装置包含有源层、源极、漏极、栅极、间介电层、源极中间层、至少一源极间插塞、漏极中间层、至少一漏极间插塞、栅极中间层与至少一栅极间插塞。有源层的材质为三五族半导体。源极与漏极皆位于有源层上。栅极位于有源层上，并介于源极与漏极之间。间介电层覆盖源极、漏极与栅极。源极中间层、漏极中间层与栅极中间层皆位于间介电层上。源极间插塞电性连接源极与源极中间层。漏极间插塞电性连接漏极与漏极中间层。栅极间插塞电性连接栅极与栅极中间层。一种应用半导体装置的半导体装置封装体亦在此公开。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包含：一有源层，该有源层的材质为三五族半导体；至少一源极，位于该有源层上；至少一漏极，位于该有源层上；至少一栅极，位于该有源层上，并介于该源极与该漏极之间；一间介电层，覆盖该源极、该漏极与该栅极，该间介电层具有至少一第一源极间通孔、至少一第一漏极间通孔与至少一栅极间通孔；至少一源极中间层，位于该间介电层上；至少一源极间插塞，位于该第一源极间通孔中，并电性连接该源极与该源极中间层；至少一漏极中间层，位于该间介电层上；至少一漏极间插塞，位于该第一漏极间通孔中，并电性连接该漏极与该漏极中间层；至少一栅极中间层，位于该间介电层上；以及至少一栅极间插塞，位于该栅极间通孔中，并电性连接该栅极与该栅极中间层。