[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410068197.2 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104882405B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;韩秋华;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，包括：步骤S101：在晶片上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影处理；步骤S102：对晶片的边缘进行第一次刻蚀；步骤S103：对晶片的有源区进行刻蚀以形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；步骤S104：对晶片的边缘进行第二次刻蚀；步骤S105：去除所述光刻胶；步骤S106：在所述沟槽内填充浅沟槽隔离材料，并进行化学机械抛光以形成浅沟槽隔离。该方法在对晶片的有源区进行刻蚀的步骤之前增加了对晶片边缘进行刻蚀的步骤，可以确保在位于之后的对晶片边缘进行刻蚀的步骤中，能够形成良好的晶片边缘形貌，因此可以提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在晶片上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影处理；步骤S102：对所述晶片的边缘进行第一次刻蚀，去除位于晶片边缘的与光刻工艺相关的膜层，以在所述晶片的边缘暴露出所述晶片；步骤S103：以所述光刻胶为掩膜对所述晶片的有源区进行刻蚀，以形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；步骤S104：对所述晶片的边缘进行第二次刻蚀；步骤S105：去除所述光刻胶；步骤S106：在所述沟槽内填充浅沟槽隔离材料，并进行化学机械抛光，以形成浅沟槽隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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