[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括在半导体衬底上的介质层内形成凹槽，并在所述凹槽以及介质层上的硬掩模层上形成金属层后，去除硬掩模层上的金属层，之后以采用碱性浆料的化学机械研磨工艺去除所述硬掩模层，以及部分金属层，直至所述凹槽内的金属层的表面与介质层表面齐平。在上述技术方案中，采用碱性的研磨浆料可有效提高硬掩模层的去除效率，且去除所述硬掩模层后，有效降低在介质层和金属层表面的硬掩模残留颗粒的残留量，从而避免在半导体器件通电使用过程中，基于所述硬掩模层颗粒残留而造成各金属插塞之间形成电导通，继而有效抑制各金属插塞之间的漏电现象。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成凹槽；在所述凹槽中形成金属层，直至所述金属层填充满所述凹槽且覆盖在硬掩模层上；去除所述硬掩模层上方的金属层后，采用化学机械研磨工艺去除所述硬掩模层和部分金属层，使得剩余金属层的表面与所述介质层表面齐平；其中，所述采用化学机械研磨工艺去除所述硬掩模层和部分金属层包括两步化学机械研磨工艺；采用第一化学机械研磨工艺，去除部分金属层和扩散阻挡层，直至露出所述硬掩膜层；其中，所述第一化学机械研磨工艺采用的研磨浆料为酸性浆料；采用第二化学机械研磨工艺，去除所述硬掩膜层；其中，所述第二化学机械研磨工艺采用的研磨浆料为碱性浆料。