[发明专利]超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法在审
| 申请号： | 201410016374.2 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104124274A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;袁小宁;董超;范玮;朱樟明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安后羿半导体科技有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。该SJ-LDMOS的有源区包括横向超结结构和形成在横向超结结构下方的埋区，通过设置埋区与半导体衬底的导电类型不同，从而半导体衬底和埋区可以同时辅助耗尽横向超结结构的N型柱区和P型柱区，补偿了衬底辅助效应造成的N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，可以获得较高的横向击穿电压。同时，半导体衬底和埋区之间的PN结向半导体衬底的表面和纵向方向各引入了一个高电场峰，可以通过电场调制效应得到更均匀的横向和纵向电场分布，因而可以获得更高的横向和纵向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括第一导电类型的半导体衬底和形成在所述半导体衬底表面的有源区和栅区，所述有源区包括：第一导电类型的基区；第二导电类型的源区，形成在所述基区中；第二导电类型的漏区，所述源区和漏区位于所述栅区的两侧；横向超结结构，包括横向交替排列的N型柱区和P型柱区，位于所述基区和漏区之间，其特征在于，所述有源区还包括第二导电类型的埋区，形成在所述半导体衬底中，并位于所述横向超结结构的下方。
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