[发明专利]三维半导体器件有效
| 申请号： | 201410012574.0 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103928467B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李昌炫;黄盛珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种三维半导体器件包括一个层叠在另一个上的第一和和第二选择线。上部线水平地交叉第一和第二选择线。第一和第二竖直图案竖直地交叉第一和第二选择线。第一和第二竖直图案共同连接到上部线。第一和第二竖直图案的每个组成彼此串联连接的第一和第二选择晶体管。第一和第二竖直图案的第一选择晶体管分别被第一和第二选择线控制。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体器件，包括：选择线；水平地交叉所述选择线的第一和第二上部线；和竖直地交叉所述选择线的第一和第二竖直图案，所述第一竖直图案连接到所述第一上部线，所述第二竖直图案连接到所述第二上部线，其中当在平面图中看时，所述第一和第二竖直图案的每个交叠所述第一和第二上部线二者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
