[发明专利]半导体元件

摘要

一种半导体元件，改善例如肖特基势垒二极管中的肖特基接合部的反向浪涌耐量。p型半导体部分14由杂质浓度互不相同的p+型半导体部(第一浓度部)14a和p‑型半导体部(第二浓度部)14b构成。并且，金属部分13的侧面13S的一部分和与其连结的底面13B的一部分与p+型半导体部14a的一部分相连接。另外，p‑型半导体部14b的侧面14bS的至少一部分与p+型半导体部14a的侧面14aS相连接。

主权项

1.一种半导体元件，其特征在于，至少包括：具有第一面，且为第一导电型的半导体基板；具有在所述半导体基板内与所述第一面邻接的第一部分和在所述半导体基板上与所述第一面邻接的第二部分，且是与所述第一导电型为相反导电型的第二导电型的保护环；以及在所述半导体基板上与所述第一面邻接，且与所述第二部分电气连接，且与所述半导体基板肖特基接合的金属层，其中，所述金属层的垂直方向的截面为矩形形状，所述金属层的最外侧面的一部分在所述半导体基板的所述第一面的上方处与所述保护环的所述第二部分的侧面相连接，从所述半导体基板的底面到所述金属层的底面的厚度比从所述半导体基板的底面到所述保护环的最上面的厚度更小，在所述保护环中设置至少一个非第二导电型的非形成部，所述保护环的所述第一部分包含第一区域和与所述第一区域连结的第二区域，所述第一区域与所述第二区域相比更靠近所述金属层，所述第二区域与所述第一区域相比在所述半导体基板的垂直方向上的深度更深。