[发明专利]用于半导体器件应用的氮化硅膜

摘要

本文中的实施方式涉及等离子体增强化学气相沉积方法以及在衬底上沉积氮化硅的设备。所公开的方法提供氮化硅膜，其具有适合用于特定应用(如垂直存储器件)的湿法蚀刻率(例如在稀氢氟酸或热磷酸中)。另外，所述方法提供的氮化硅膜具有适合用于目标应用的特定内应力水平。所述氮化硅膜特性可通过控制例如前体的组成和流率以及供应到等离子体的低频功率和反应室中的压强来设定或调整。在某些实施方式中，添加含硼前体。

主权项

一种在等离子体增强化学气相沉积设备中在衬底上形成氮化硅膜的方法，所述方法包括：使含硅反应物、含氮反应物与含硼反应物流动通过含有所述衬底的所述等离子体增强化学气相沉积设备，其中执行所述流动步骤以使所述含硅反应物与所述含氮反应物的流率比约为0.02或0.02以下；在所述等离子体增强化学气相沉积设备中产生或维持等离子体；及在所述衬底上沉积所述氮化硅膜。