[实用新型]多芯片封装结构有效
| 申请号： | 201320372447.2 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN203339153U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 金若虚;胡立栋;陆春荣;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 力成科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种多芯片封装结构，其特征在于，包括：一铁镍合金支架，具有多个引脚、两个沉降部分以及两个沉降部分之间的载台；所述沉降部分的上端与该引脚相连接，所述沉降部分的下端与该载台相连接；采用铁镍合金材料的支架是因为铁镍的膨胀系数与芯片相近。至少两层芯片，堆叠配置于于所述载台上；多根导线，电性连接于芯片和芯片之间、芯片和铁镍合金支架之间；导线为金线，采用打线结合焊接技术进行芯片的电性连接。封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。本实用新型所述多芯片封装结构的支架载台经过下沉工艺的处理形成凹槽结构，可以进行四层芯片封装，容量大，芯片平整性强，腔体内无气体残留。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种多芯片封装结构，其特征在于，包括：一铁镍合金支架，具有多个引脚、两个沉降部分以及两个沉降部分之间的载台；所述沉降部分的上端与该引脚相连接，所述沉降部分的下端与该载台相连接；至少两层芯片，堆叠配置于于所述载台上；多根导线，电性连接于芯片和芯片之间、芯片和铁镍合金支架之间；封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力成科技（苏州）有限公司，未经力成科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320372447.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双路表贴高速光电耦合器
- 下一篇：半导体装置
