[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201320302636.2 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN203300639U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 施建根;王小江;顾健 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体封装结构，包括芯片，所述芯片上设有电极，所述芯片和所述电极上选择性的覆盖有钝化层，所述电极上设有绝缘中空柱状件，所述绝缘中空柱状件表面及位于所述绝缘中空柱状件内部的所述电极表面设有金属层，所述金属层上、所述绝缘中空柱状件内设有第一金属柱，所述第一金属柱上及所述金属层上设有第二金属柱，所述第二金属柱通过焊料层连接铜板，所述钝化层为氧化硅层或氮化硅层。本实用新型绝缘中空柱状件中的第一金属柱，能够缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起电极断裂，导致半导体器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，包括芯片，所述芯片上设有电极，所述芯片和所述电极上选择性的覆盖有钝化层，其特征在于，所述电极上设有绝缘中空柱状件，所述绝缘中空柱状件表面及位于所述绝缘中空柱状件内部的所述电极表面设有金属层，所述金属层上、所述绝缘中空柱状件内设有第一金属柱，所述第一金属柱上及所述金属层上设有第二金属柱，所述第二金属柱通过焊料层连接铜板，所述钝化层为氧化硅层或氮化硅层。
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