[实用新型]平面可控硅器件芯片有效
| 申请号： | 201320272681.8 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN203325910U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘纪云;王仁书;祝方明;陈实 | 申请（专利权）人： | 扬州中芯晶来半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 许必元 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种平面可控硅器件芯片，属于芯片设计技术领域。平面可控硅器件芯片，平面可控硅器件芯片，包括硅衬底片，硅衬底片表面依次设置的掺氧多晶硅钝化层、下二氧化硅层、磷硅玻璃层、上二氧化硅层和门极区引线孔窗口、阴极区引线孔窗口，其特征是，在所述掺氧多晶硅钝化层与下二氧化硅层之间设有掺氮多晶硅层。所述的硅衬底片由N-单晶硅片上设有隔离扩散的P+区、阳极P区、门极P区及阴极N+区构成。通过本实用新型，芯片表面形成五层保护层：掺氧多晶硅钝化层、掺氮多晶硅层、下二氧化硅层、磷硅玻璃层、上二氧化硅层。采用本实用新型生产的平面可控硅器件芯片击穿电压、触发电流等参数稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 可控硅 器件 芯片 | ||
【主权项】：
平面可控硅器件芯片，包括硅衬底片，硅衬底片表面依次设置的掺氧多晶硅钝化层（5）、下二氧化硅层（7）、磷硅玻璃层（8）、上二氧化硅层（9）和门极区引线孔窗口（10）、阴极区引线孔窗口（11），其特征是，在所述掺氧多晶硅钝化层（5）与下二氧化硅层（7）之间设有掺氮多晶硅层（6）。
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