[发明专利]纵向超结金属氧化物场效应晶体管

摘要

本发明纵向超结金属氧化物场效应晶体管，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层；N型掺杂外延层内部由内向外设有结构相同的第一P型填充阱区和第二P型填充阱区，第一P型填充阱区的上侧设有第一P型掺杂区；第二P型填充阱区上侧从内到向外设有第二P型掺杂区和P型掺杂等势环，并且三者共同构成终端耐压结构区域T；第二P型掺杂区对应多个第二P型填充阱区设置；P型掺杂等势环的宽度大于第二P型填充阱区的宽度，呈间隔布置的P型掺杂等势环在晶体管的长度方向上分别一一对应的平行设置在第二P型填充阱区的正上方；P型掺杂区内设有N型掺杂区，并与第一P型填充阱区共同构成原胞源极区域C；优化了表面电势分布。

主权项

纵向超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底（1）和N型掺杂外延层（2）；N型掺杂外延层（2）内部由内向外设有结构相同的第一P型填充阱区（31）和第二P型填充阱区（32），第一P型填充阱区（31）的上侧设有第一P型掺杂区（41）；第二P型填充阱区（32）上侧从内到向外设有第二P型掺杂区（42）和P型掺杂等势环（43），并且三者共同构成终端耐压结构区域T；第二P型掺杂区（42）对应多个第二P型填充阱区（32）设置；P型掺杂等势环（43）的宽度大于第二P型填充阱区（32）的宽度，呈间隔布置的P型掺杂等势环（43）在晶体管的长度方向上分别一一对应的平行设置在第二P型填充阱区（32）的正上方；所述的P型掺杂区（41）内设有N型掺杂区（51），并与第一P型填充阱区（31）共同构成原胞源极区域C；上表面最外围设置有N型掺杂源极接触区（52）的终端耐压结构区域T布置在原胞源极区域C的外围；原胞源极区域C和终端耐压结构区域T上方依次设有栅氧化层、介质层（7）和上金属层，部分栅氧化层上方介质层（7）内设置多晶硅；上金属层穿过栅氧化层和介质层（7）对应连接在第一P型掺杂区（41）、第二P型掺杂区（42）和N型掺杂源极接触区（52）上方的部分构成源极金属电极（8）；设置在N型掺杂半导体衬底（1）下方的下金属层构成漏极金属电极（10）；多晶硅对应原胞源极区域C的部分构成栅电极（61），多晶硅对应终端结构区域T的部分构成多晶硅场板结构（62），多晶硅场板结构（62）分别与对应的源极金属电极（8）相连。