[发明专利]肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法有效
| 申请号： | 201310697224.8 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681885B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈守迎;张聪;董军;单维刚;杨晓亮;沈中堂;宋迎新 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/24 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法，芯片包括N型硅半导体衬底，半导体衬底的正面设有NiPtSi势垒层，所述势垒层与半导体衬底直接接触，形成NiPtSi‑Si势垒。本发明方法简易、成本低、实用有效，采用NiPt合金作为肖特基势垒金属,形成复合金属硅化物—硅接触势垒（NiPtSi‑Si），所得芯片和器件克服了单一金属势垒正向压降与反向漏电的矛盾，反向漏电和正向压均很低，耐高温性能、抗静电性能、反向能量冲击性能等都得到了很好的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 芯片 器件 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管芯片，其特征是：包括N型硅半导体衬底，在N型硅半导体衬底的正面设有氧化层，所述氧化层的中间部位具有纵截面为T形的开窗，在开窗内设有NiPtSi势垒层，势垒层的厚度为800 Å，所述势垒层与半导体衬底直接接触，形成NiPtSi‑Si势垒；在势垒层上设有正面多层金属电极，在半导体衬底的背面设有背面多层金属电极，所述正面多层金属电极由下至上依次为钨钛金属层、镍钒金属层和银金属层；在半导体衬底中还设有保护环，所述保护环位于开窗的边缘，所述保护环是由硼扩散方式形成的；NiPtSi势垒层中，镍占镍铂总量的95‑90wt%，铂占镍铂总量的5‑10wt%。
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