[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310511900.8 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103715151A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 本间恭子;下川一生 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体元件包括在主表面上的多个电极、覆盖半导体元件的侧表面的至少一部分的密封树脂、以及形成在半导体元件的主表面、半导体元件的侧表面的一部分和密封树脂上的第一绝缘层。该第一绝缘层具有形成在其中的第一开口以允许通过第一开口暴露出在主表面上的多个电极，以及设置在侧表面的一部分上的倒角。该半导体元件还包括布线层和第二绝缘层，该布线层以电连接到多个电极的方式形成在第一开口中，并还形成在第一绝缘层上；该第二绝缘层具有形成在第一绝缘层和布线层上的第二开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体元件，其包括在主表面上的多个电极；密封树脂，其覆盖所述半导体元件的侧表面的至少一部分；第一绝缘层，其形成在所述半导体元件的所述主表面、所述半导体元件的所述侧表面的一部分、以及所述密封树脂上，并以如下方式设置有第一开口，即允许通过所述第一开口暴露出在所述主表面上的所述多个电极，并且所述第一绝缘层包括设置在所述侧表面的一部分上的倒角；布线层，其以电连接到所述多个电极的方式形成在所述第一开口中，并且还形成在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，其设置有第二开口，并至少形成在所述第一绝缘层和所述布线层上。
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