[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310411054.2 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425349B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 童浩;严琰;潘周君;邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有多个浅沟槽隔离结构的图案的硬掩膜层；在所述半导体衬底中形成所述多个浅沟槽隔离结构；采用干法蚀刻去除所述多个浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底的部分；去除所述硬掩膜层。根据本发明，采用干法蚀刻去除所述多个浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底的部分，可以使所述去除之后的位于所述半导体衬底上的不同区域的浅沟槽隔离结构的高度相一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括器件密度较大的区域和器件密度较小的区域；在所述半导体衬底上形成具有多个浅沟槽隔离结构的图案的硬掩膜层；在所述半导体衬底中形成所述多个浅沟槽隔离结构，其中，在所述密度较大的区域和所述器件密度较小的区域中形成的浅沟槽隔离结构的高度相同、宽度不同；采用干法蚀刻去除所述多个浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底的部分，以使蚀刻后所述多个浅沟槽隔离结构的高度相同；去除所述硬掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
