[发明专利]半导体器件及半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310398733.0 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104425278B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及半导体器件的形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有衬垫氧化层以及位于衬垫氧化层表面的硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层和部分厚度的半导体衬底形成第一沟槽；侧向回刻蚀第一沟槽两侧的部分硬掩膜层；形成填充满所述第一沟槽的第一隔离层；回刻蚀去除衬垫氧化层和部分厚度的第一隔离层，直至第一隔离层顶部低于半导体衬底表面，形成第二沟槽；在所述第二沟槽内的半导体衬底表面及侧壁形成外延层，且所述外延层与半导体衬底材料相同。本发明形成的半导体器件具有较大的有源区宽度，半导体器件的驱动电流得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有衬垫氧化层以及位于衬垫氧化层表面的硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层，以图形化的硬掩膜层为掩膜，依次刻蚀衬垫氧化层和部分厚度的半导体衬底形成第一沟槽；侧向回刻蚀第一沟槽两侧的部分硬掩膜层，暴露出部分衬垫氧化层表面；形成填充满所述第一沟槽的第一隔离层，其中，所述第一隔离层为多层结构，所述第一隔离层包括位于第一沟槽底部和侧壁的第一隔离氧化层，以及位于第一隔离氧化层表面且填充满第一沟槽的第一隔离介质层；回刻蚀去除衬垫氧化层和部分厚度的第一隔离层，直至第一隔离层顶部低于半导体衬底表面，形成第二沟槽；在所述第二沟槽内的半导体衬底表面及侧壁形成外延层，暴露出部分第一隔离层表面，且所述外延层与半导体衬底材料相同；去除硬掩膜层和衬垫氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310398733.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应晶体管及其形成方法、半导体器件
- 下一篇：晶体管的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
