[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310376099.0 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103681858A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;吉冈启;斋藤涉;仲敏行 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及的半导体装置具备：基板、第1半导体区域、第2半导体区域、第1电极、第2电极、控制电极、以及导通部。上述基板包含导电性区域。上述第1半导体区域包含设置于上述基板的第1面侧的AlxGa1－xN（0≤X≤1）。上述第2半导体区域包含设置于上述第1半导体区域的与上述基板相反一侧的AlYGa1－YN（0≤Y≤1，X≤Y）。上述第1电极设置于上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧，与上述第2半导体区域欧姆连接。上述控制电极与上述第1电极离开地设置。上述导电部电连接上述第1电极与上述导电性区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，具有第一面，包含导电性区域；第1半导体区域，设置在上述基板的第1面侧，包含AlxGa1‑xN，其中，0≤X≤1；第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域的与上述基板相反一侧，包含AlYGa1‑YN，其中，0≤Y≤1，X≤Y；第1电极，设置在上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧，与上述第2半导体区域欧姆连接；控制电极，在上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧上，离开上述第1电极地设置；以及导通部，电连接上述第1电极与上述导电性区域。
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