[发明专利]半导体装置

说明书

关联申请

本申请要求以日本专利申请第2012－206041号（申请日：2012年9月19日）为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

后述的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

使用了氮化物半导体的半导体装置能够改善耐压和导通电阻之间的权衡（tradeoff）关系，能够得到比使用了硅（Si）的元件更好的低导通电阻化以及高耐压化。一般地，在使用了氮化镓（GaN）的半导体装置中，发生施加高电场时电流减少的电流崩塌的现象，结果，发生导通电阻上升。为了回避该现象，需要使元件内部的电场分散。例如，通过对半导体装置的表面结构进行设计而使元件内部的电场分散。

在使用了这样的氮化物半导体的半导体装置中，进一步特性的稳定化是所期望的。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的实施方式提供一种能够谋求特性的稳定化的半导体装置。

用于解决问题的手段

实施方式涉及的半导体装置包含：基板、第1半导体区域、第2半导体区域、第1电极、控制电极、以及导通部。

上述基板，包含导电性区域。

上述第1半导体区域包含设置于上述基板之上的AlxGa1－xN（0≤X≤1）。

上述第2半导体区域包含设置于上述第1半导体区域之上的AlYGa1－YN（0≤Y≤1，X≤Y）。

上述第1电极设置于上述第2半导体区域之上，与上述第2半导体区域欧姆连接。

上述控制电极在上述第2半导体区域之上与上述第1电极离开地设置。

上述导电部电连接上述第1电极与上述导电性区域。

附图说明

图1是示意性地例示第一实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。

图2是示意性地例示第二实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。

图3是示意性地例示凸点电极的配置的俯视图。

图4以及图5是示意性地例示第二实施方式涉及的半导体装置的其他的构成的剖视图。

图6A以及图6B是例示第三实施方式涉及的半导体装置的构成的图。

图7A以及图7B是例示参考例涉及的半导体装置的构成的图。

图8是示意性地例示第四实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。

图9A～图10B是示意性地例示第五实施方式涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。

图11A～图13C是示意性地例示第六实施方式涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。

图14A～图15B是示意性地例示第七实施方式涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。

具体实施方式

下面，基于附图对本发明的实施方式进行说明。

另外，附图是示意图或者概念图，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小的比率等不限定为必须与现实的相同。另外，在本申请说明书和各图中，涉及到已经给出的图，对于与上述部分相同的要素使用相同的符号进行标记并适当地省略详细的说明。另外，在下面的说明中，n^＋、n、n^-以及p^＋、p、p^－的记号表示各导电形中的杂质浓度的相对的高低。

（第一实施方式）

图1是示意性地例示第一实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。

如图1所示，第一实施方式涉及的半导体装置110具备支持基板10、第1半导体区域20、第2半导体区域30、第1电极51、控制电极53、以及导通部60。半导体装置110进一步具备第2电极52。半导体装置110是例如GaN系的场效应晶体管。

支持基板10包含导电性区域11。导电性区域11可以设置于支持基板10的一部分上，也可以设置于支持基板10的整体上。作为支持基板10，能够使用例如相对地杂质浓度高的半导体基板（例如，n^＋型的硅基板、p^＋型的硅基板、n型的碳化硅基板）或绝缘体上硅（SOI，Silicon On Insulator）基板。在本实施方式中，以使用导电性区域11设置于支持基板10的整体的n^＋型的硅基板的情况作为例子。支持基板10具有第1面10a。