[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板，具有第一面，包含导电性区域；

第1半导体区域，设置在上述基板的第1面侧，包含Al_xGa_1-xN，其中，0≤X≤1；

第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域的与上述基板相反一侧，包含Al_YGa_1-YN，其中，0≤Y≤1，X≤Y；

第1电极，设置在上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧，与上述第2半导体区域欧姆连接；

控制电极，在上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧上，离开上述第1电极地设置；以及

导通部，电连接上述第1电极与上述导电性区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

进一步具备第2电极，该第2电极在上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧上，离开上述第1电极以及上述控制电极地设置，并与上述第2半导体区域欧姆连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，进一步具备：

布线部，与上述第1电极、上述第2电极以及上述控制电极分别导通；以及

凸点电极，与上述布线部导通。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述导通部具有在从上述第2半导体区域朝向上述第1半导体区域的方向上延伸的部分。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

进一步具备元件分离区域，该元件分离区域在上述基板的上述第1面侧设置于上述第1半导体区域以及上述第2半导体区域的周边，

上述导通部具有沿形成于上述元件分离区域的绝缘部的侧面而设置的部分。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

进一步具备元件分离区域，该元件分离区域在上述基板的上述第1面侧设置于上述第1半导体区域以及上述第2半导体区域的周边，

设置有贯通上述元件分离区域的孔。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述导通部沿上述导电性区域、上述第1半导体区域以及上述第2半导体区域的各自的侧面而设置。

8.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

进一步具备形成有多个布线图案的基板，

上述第1电极、上述第2电极以及上述控制电极分别经由上述凸点电极与上述多个布线图案中的任一个连接。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

进一步具备缓冲层，该缓冲层设置于上述第1半导体区域与上述基板之间。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述基板包含硅层以及在上述硅层与上述导电性区域之间设置的绝缘层。

11.一种半导体装置，其特征在于，具备：

支持基板，具有第1面；

绝缘层，设置于上述支持基板的第1面侧；

导电性区域，设置于上述绝缘层的与上述支持基板相反一侧；

第1半导体区域，设置在上述导电性区域的与上述绝缘层相反一侧，包含Al_xGa_1－xN，其中，0≤X≤1；

第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域的与上述导电性区域相反一侧，包含Al_YGa_1－YN，其中，0≤Y≤1，X≤Y；

分离区域，将上述导电性区域、上述第1半导体区域以及上述第2半导体区域分离成第1区域和第2区域；

第一第1电极、第一第2电极以及第一控制电极，互相离开地设置在上述第1区域中的上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧；

第二第1电极、第二第2电极以及第二控制电极，互相离开地设置在上述第2区域中的上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧；

连接部，电连接上述第一第1电极与上述第二第2电极；

第一导通部，电连接上述第一第1电极与上述第1区域的上述导电性区域；以及

第二导通部，电连接上述第二第1电极与上述第2区域的上述导电性区域。