[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置，所述半导体装置包括形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；以及形成在电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且包括具有不同Al组成比的两层或更多层，SLS缓冲层通过将包括AlN的第一晶格层和包括GaN的第二晶格层交替地层叠而形成，并且缓冲层中的各层中与SLS缓冲层接触的一层中的Al组成比大于或等于SLS缓冲层中的Al有效组成比。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在所述SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；和形成在所述电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层；其中所述缓冲层包括具有不同Al组成比的两层或更多层的AlGaN层，所述缓冲层的两层或更多层的AlGaN层按照Al组成比从衬底侧到SLS缓冲层侧减小的顺序来布置，其中所述SLS缓冲层通过交替地层叠包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层来形成，以及其中所述缓冲层的两层或更多层的AlGaN层中与所述SLS缓冲层接触的一层的Al组成比大于或等于所述SLS缓冲层的Al有效组成比，其中所述Al有效组成比定义为所述第一晶格层的厚度相对所述第一晶格层和所述第二晶格层的厚度之和的比。