[发明专利]带有高击穿电压的双极晶体管

摘要

本发明涉及带有高击穿电压的双极晶体管。较高击穿电压晶体管有分开的发射极、基极接触和集电极接触。位于所述发射极和所述基极接触之下的分别是第一导电类型的第一基极部分和第二基极部分。位于所述集电极接触之下并且耦合于所述集电极接触的是第二、相反导电类型的集电极区域，其有中心部分朝着、在之下、或越过所述基极接触横向延伸并且通过所述第二基极部分与其分开。与所述集电极区域有相同导电类型的浮动集电极区域位于所述发射极之下并通过所述第一基极部分与所述发射极分开。所述集电极和浮动集电极区域被所述基极形成于其中的所述半导体（SC）区域的一部分分开。所述基极形成于其中的所述SC区域的更深部分横向限定或围绕所述集电极区域。

主权项

一种双极晶体管，包括：第一导电类型的第一半导体(SC)区域，具有上表面，并且在其中有所述第一导电类型的基极区域、第二相反导电类型的发射极区域、所述第一导电类型的与所述发射极区域横向分开的基极接触区域以及所述第二导电类型的与所述基极接触区域横向分开的集电极接触区域；所述第二导电类型的集电极区域，耦合于所述集电极接触区域；以及所述第二导电类型的浮动集电极区域，与所述集电极区域横向间隔开并且至少部分位于所述发射极区域之下。