[发明专利]带有高击穿电压的双极晶体管

说明书

技术领域

本发明通常涉及半导体器件和电路以及制造半导体器件和电路的方法，更具体地说涉及具体为双极晶体管的半导体器件和电路。

背景技术

双极晶体管多用于现代电子领域中作为单独的器件以及作为各种集成电路(IC)的部分。尤其双极晶体管的高要求应用存在于汽车和航空领域,其中除了其它方面,接地的和高边(不接地)应用都期望相对高的击穿电压。当这种双极晶体管与场效应晶体管(FET)同时被制造并且通常用在相同的衬底上时，例如金属氧化物半导体(MOS)器件和/或作为IC的部分的补双极-MOS(Bi-CMOS)器件，更复杂的情况可能发生。

附图说明

本发明将在下文中结合附图被描述，其中相似的数字表示相似的元件，并且其中：

图1根据本发明的一个实施例，示出改进的双极晶体管的关于中心线的简化截面图；

图2-图9根据本发明的另一个实施例，示出在制造的各个阶段期间图1的双极晶体管的简化截面图；

图10-图11根据本发明的另一个实施例，示出图1的双极晶体管的简化截面图；

图12根据本发明的另一个实施例，示出改进的双极晶体管的关于中心线的简化截面图；以及

图13-图14根据本发明的另一个实施例，示出在制造的各个阶段期间图12的双极晶体管的简化截面图。

具体实施方式

以下的详细说明书仅仅是示例的，不旨在限定本发明或本申请以及本发明的使用。此外，也不旨在被先前技术领域、背景、或以下详细说明书中的任何明示或暗示的理论所限定。

为了简便以及清晰的说明，附图说明了构造的一般方式，并且众所周知的特征和技术的说明以及细节可被忽略以避免不必要地模糊本发明。此外，附图中的元件不一定按比例绘制。例如，附图中的一些元件或区域的尺寸相对于其它元件或区域可被夸大以帮助改善对本发明实施例的理解。

说明书以及权利要求中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等等，如果有的话，可被用于区分相似元件或步骤并不一定用于描述一个特定顺序或时间顺序。应了解术语的这种用法在适当的情况下是可以互换的以便本发明所描述的实施例例如，能够以不是本发明所说明的顺序或不同于本发明所描述的其它方式操作或排列。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”或其的任何变化形式旨在涵盖非排他性地包括，以便包括一列元件或步骤的一个过程、方法、物品、或设备不需要被限定于那些元件或步骤，但可能包括其它没有明确列出的或是这个过程、方法、、物品、或设备固有的其它元件或步骤。本发明所使用的术语“耦合”被定义为以一种电或非电方式直接或间接连接。正如本发明所使用的，术语“基本的”以及“基本上地”意味着以实用的方式足以实现所述的目的，并且微小的不完美——如果有——对于所述目的是不重要的。

正如本发明所使用的，术语“半导体”以及缩写“SC”旨在包括任何半导体，无论单晶、多晶或非晶质，并且除了包括有机和无机半导体还包括IV型半导体、非IV型半导体、化合物半导体。此外,术语“衬底”、“半导体衬底”以及“SC衬底”旨在包括单晶结构、多晶结构、非晶质结构、薄膜结构、分层结构,是作为例子并且不旨在限定，绝缘体上半导体(SOI)结构、半导体上绝缘体(IOS)结构及其组合。“高边”能力指代力图采用配置中的晶体管或其它器件的情况；在该配置中，晶体管或其它器件的参考端子不在地面或其它共同电路参考电位上,但在一个更高的电压上。这种情况在汽车和航空电子应用中很常见。

为了便于解释并且不旨在限定，本发明描述了硅半导体的半导体器件以及制造方法,但本领域所属技术人员将了解其它半导体材料也可被使用。此外,各种器件类型和/或掺杂SC区域可被确定为N型或P型,但这仅仅是为了便于描述并且不旨在限定,并且这种确定可被替代为“第一导电类型”或“第二、相反导电类型”的更一般描述，其中第一类型可是N或P型并且第二类型则是P或N型。本发明的各个实施例将被说明用于NPN双极晶体管，但是,这又只是为了便于描述并且不旨在限定。本领域所属技术人员将了解包含NPN和PNP其中一个或两者组合的NPN双极晶体管和其它半导体器件以及电路可通过各个区域中的导电类型的适当互换而被提供。