[发明专利]带有高击穿电压的双极晶体管

权利要求书

1.一种双极晶体管，包括：

第一导电类型的第一半导体(SC)区域，具有上表面，并且在其中有所述第一导电类型的基极区域、第二相反导电类型的发射极区域、所述第一导电类型的与所述发射极区域横向分开的基极接触区域以及所述第二导电类型的与所述基极接触区域横向分开的集电极接触区域；

所述第二导电类型的集电极区域，耦合于所述集电极接触区域；以及

所述第二导电类型的浮动集电极区域，与所述集电极区域横向间隔开并且至少部分位于所述发射极区域之下。

2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中所述浮动集电极区域的中心部分位于所述发射极区域之下并且由所述基极区域的第一部分与所述发射极区域垂直分开。

3.根据权利要求2所述的双极晶体管，其中所述浮动集电极区域的所述中心部分从直接位于发射极之下的位置朝着所述集电极区域横向延伸大于零的第一距离。

4.根据权利要求3所述的双极晶体管，其中第一距离为至少约0.1微米。

5.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中所述集电极区域和所述浮动集电极区域由与所述基极区域互通的所述第一SC区域的更深部分被横向间隔开，其中所述第一SC区域(25)的所述更深部分有第一横向宽度。

6.根据权利要求5所述的双极晶体管，其中所述第一横向宽度为至少约0.1微米。

7.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中所述集电极区域的中心部分通过所述基极区域的第二部分与所述基极接触区域垂直分开。

8.根据权利要求7所述的双极晶体管，其中所述基极区域的所述第二部分从所述基极接触部分朝着所述集电极区域的上面部分延伸至少约0.25微米的第二距离。

9.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中所述浮动集电极区域基本上被所述第一SC区域的第一子部分围绕。

10.根据权利要求9所述的双极晶体管，其中所述集电极区域基本上被所述第一SC区域的第二子部分横向围绕。

11.根据权利要求1所述的双极晶体管，还包括位于所述第一SC区域之下的绝缘层。

12.根据权利要求1所述的双极晶体管，还包括横向绝缘结构，它邻近所述上表面并且将所述发射极区域、所述基极接触区域和所述集电极接触区域横向分开。

13.一种形成双极晶体管的方法，包括：

提供有第一导电类型的第一SC区域的衬底；

在所述第一SC区域中形成间隔开的集电极区域和第二相反导电类型的浮动集电极区域；

在所述第一SC区域中形成所述第二导电类型的发射极区域，所述发射极区域与所述浮动集电极区域垂直分开并且至少部分覆盖所述浮动集电极区域，以及形成所述第二导电类型的集电极接触区域，所述集电极接触区域耦合于所述集电极区域并且与所述发射极区域横向分开；以及

在所述第一SC区域中形成所述第一导电类型的基极接触区域，所述基极接触区域与所述集电极区域垂直分开并且与所述发射极区域横向分开。

14.根据权利要求12所述的方法，其中形成横向分开的发射极区域和基极接触区域的步骤通过使用第一横向绝缘结构执行，以及形成横向分开的基极接触区域和集电极接触区域的步骤通过使用第二横向绝缘结构执行。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成横向分开的发射极区域、基极接触区域和集电极区域的步骤包括形成所述第一横向绝缘结构和所述第二横向绝缘结构作为：(i)两个浅沟道隔离(STI)区域,或(ii)两个SC-金属合金阻挡(SC-MAB)区域,或(iii)它们的组合，其中如果所述第一横向绝缘结构是STI区域，则所述第二横向绝缘结构是SC-MAB区域,或如果所述第一横向绝缘结构是SC-MAB区域，则第二横向绝缘结构是STI区域(291)。

16.根据权利要求13所述的方法，还包括形成所述第一导电类型的基极区域，所述基极区域包括位于所述发射极区域和所述浮动集电极区域之间的第一部分、越过所述集电极区域的一部分横向延伸的第二部分以及所述第一SC区域的位于所述集电极区域和所述浮动集电极区域之间的另一部分。