[发明专利]半导体器件的形成方法、MIM电容的形成方法

摘要

一种MIM电容的形成方法和半导体器件的形成方法。半导体器件的形成方法包括提供基底；在基底上形成包括第一金属互连层和第二金属互连层的第一层间介质层；在第一层间介质层、第一金属互连层和第二金属互连层上形成包括第一金属插塞和第二金属插塞的第二层间介质层；在第二层间介质层、第一金属插塞和第二金属插塞上形成第一导电材料层；在第一金属互连层上方的第一导电材料层上形成电容介电层；在电容介电层和第一导电材料层上形成第二导电材料层；对位于第一金属互连层和第二金属互连层之间第一层间介质层上方的第二导电材料层和第一导电材料层进行刻蚀，至暴露出第二层间介质层。本发明所形成半导体器件的电学性能好。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一层间介质层，并形成贯穿所述第一层间介质层的第一金属互连层和第二金属互连层，所述第一金属互连层和第二金属互连层之间存在距离；在所述第一层间介质层、第一金属互连层和第二金属互连层上形成第二层间介质层，并在所述第一金属互连层上形成贯穿所述第二层间介质层的第一金属插塞，在所述第二金属互连层上形成贯穿所述第二层间介质层的第二金属插塞；在所述第二层间介质层、第一金属插塞和第二金属插塞上形成第一导电材料层；在所述第一导电材料层上形成电容介电层，刻蚀所述电容介电层，至仅剩余位于所述第一金属互连层上方的电容介电层；在所述剩余的电容介电层和第一导电材料层上形成第二导电材料层；对位于所述第一金属互连层和所述第二金属互连层之间第一层间介质层上方的第二导电材料层和第一导电材料层进行刻蚀，至暴露出所述第二层间介质层；其中，所述第一导电材料层的材料为钛、钽、氮化钛和氮化钽中的一种或几种组合，所述第二导电材料层的材料为铝。