[发明专利]半导体器件以及在晶片级封装上使用UV固化的导电油墨形成RDL的方法有效

专利信息
申请号: 201310176280.7 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN103633020B 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 沈一权;俊谟具 申请(专利权)人: 新科金朋有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/532
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 方世栋,王忠忠
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种半导体器件以及在晶片级封装上使用UV固化的导电油墨形成RDL的方法。半导体器件具有半导体裸片和被形成在所述半导体裸片上的第一绝缘层。在所述第一绝缘层中形成图案化的沟槽。通过将模版布置在所述第一绝缘层上(其中开口与所述图案化的沟槽对齐)并且通过所述模版中的开口将导电油墨沉积到所述图案化的沟槽中,所述导电油墨被沉积在所述图案化的沟槽中。可替代地,通过经由喷嘴将所述导电油墨分发到所述图案化的沟槽中来沉积所述导电油墨。在室温下通过紫外光将所述导电油墨固化。在所述第一绝缘层和导电油墨上形成第二绝缘层。在所述导电油墨上形成互连结构。密封剂可以被沉积在所述半导体裸片周围。所述图案化的沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述图案化的沟槽中。
搜索关键词: 半导体器件 以及 晶片 装上 使用 uv 固化 导电 油墨 形成 rdl 方法
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体裸片;在所述半导体裸片上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层中形成延伸至所述半导体裸片的表面的开口;在所述半导体裸片的周围沉积密封剂;形成部分延伸入所述第一绝缘层和所述密封剂的图案化的沟槽,其中所述图案化的沟槽从所述第一绝缘层中的所述开口延伸,并继续横过所述半导体裸片上的所述第一绝缘层和密封剂;将导电油墨沉积在所述图案化的沟槽中,以形成横过所述第一绝缘层和所述密封剂的重新分布层;以及在室温下通过紫外光固化所述导电油墨。
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