专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]高温下测量物质磁化率的装置-CN201420001535.6有效
  • 任维丽;刘洪玉;周艳;胡治宁;钟云波;董立城;任忠鸣 - 上海大学
  • 2014-01-02 - 2014-07-09 - G01R33/16
  • 本实用新型公开了一种高温下测量物质磁化率的装置,将样品管悬挂在筒形硅碳管加热体形成的炉体内腔中,在筒形硅碳管加热体外围包裹着保温层,使炉体内腔中形成均匀温度场,控温仪与热电偶信号连接,热电偶的温度测试端安装于靠近样品管的炉体内腔区域中,控温仪的控制模块直接控制筒形硅碳管加热体的加热功率,样品管为刚玉制坩埚,样品管悬吊于电子天平的下方,磁场发生器通过超导强磁体在样品管所处区域产生磁场梯度积稳恒区域,使装入样品管中的被测试样完全处于磁场发生器形成的磁场梯度积稳恒区域中。本实用新型可测量出物质在不同高温下的磁化率数据,其最高温度可达到1400℃,还能测量物质磁化率随温度的变化,可控性强,容易操作。
  • 高温测量物质磁化率装置
  • [发明专利]直接成形制备带硅的方法及硅片直接成形装置-CN201310008252.4有效
  • 钟云波;沈喆;黄靖文;龙琼;孙宗乾;吴秋芳;李甫;周鹏伟;董立城;郑天祥 - 上海大学
  • 2013-01-10 - 2013-04-24 - C30B15/36
  • 本发明公开了一种直接成形制备带硅的方法,在硅片和硅熔体的固液界面区域施加交变磁场,在固液界面前沿处的硅熔体中形成感生电流,通过交变磁场和感生电流的共同作用,在固液界面处形成垂直固液界面并指向硅熔体内部的电磁挤压力,调整电磁挤压力的大小,使电磁挤压力完全抵消硅片窄边固液界面处向内的表面张力,从而使柔性的电磁力约束并稳定固液界面的形状,使柔性的电磁力约束的硅熔体成形并持续凝固,然后将凝固的带状硅铸坯持续拉出,直接制备带硅。本发明还公开了一种硅片直接成形装置,包括硅料熔化保温装置、加料装置、直拉引锭装置和带硅软接触成形装置,直接制备带硅,实现洁净生产,减少硅片缺陷,实现大规模直接生产带硅的工业应用。
  • 直接成形制备方法硅片装置

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