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[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201880034681.X在审
发明人： 齐藤正夫;江头和幸 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-04-05 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅(10)的制造方法，其利用提拉法从硅熔液中提拉单晶硅(10)而使其生长，在该方法中，当单晶硅(10)的提拉过程中发生位错时，直至位错化开始位置(101)通过氧析出核形成温度带(TBMD)为止维持提拉速度而进行单晶硅(10)的提拉。
单晶硅制造方法

[发明专利]原料熔融液液面与晶种下端的间隔测定方法、晶种的预热方法及单晶的制造方法-CN201610106091.6有效
发明人：清水泰顺;高梨启一;中野清贵;齐藤正夫 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：间隔测定方法，其为在使晶种的下端与坩埚内的原料熔融液接触而在所述晶种的下端培养单晶之前，测定所述原料熔融液的液面与配置于所述原料熔融液上方的晶种的下端的间隔的方法，其中，通过光学方法，获得实像下端点的位置信息和镜像点的位置信息，所述实像下端点是所述晶种下端的特定点，所述镜像点是映出于所述液面的所述晶种的镜像中与所述实像下端点对应的点；在所述实像下端点的位置与所述镜像点的位置一致的点，所述原料熔融液的液面与所述晶种的下端的间隔为0，从而求出所述原料熔融液的液面与所述晶种的下端的间隔。通过该方法，可在晶种与原料熔融液液面接触之前，准确地测定原料熔融液液面与晶种的间隔。
原料熔融液面下端间隔测定方法预热制造

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201611129253.4在审
发明人：江头和幸;齐藤正夫 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：课题由一根单晶锭获取具有多个BMD密度范围的产品区域。解决手段从掺杂有氮的硅熔体中提拉单晶硅的方法，所述方法包括生长位于单晶硅的上部侧的第1产品区域(3c1)的工序，和生长与第1产品区域(3c1)相比位于单晶硅的下部侧、BMD密度的制造规格与第1产品区域(3c1)不同的第2产品区域(3c2)的工序。第2产品区域(3c2)中的BMD密度的制造规格的上限值和下限值分别大于第1产品区域(3c1)中的BMD密度的制造规格的上限值和下限值。在第1产品区域(3c1)的生长中，将单晶硅中的氧浓度控制在第1产品区域(3c1)中的BMD密度的制造规格的范围内，且在第2产品区域(3c2)的生长中，将单晶硅中的氧浓度控制在第2产品区域(3c2)中的BMD密度的制造规格的范围内。
单晶硅制造方法

[发明专利]冷却贮藏库-CN97104664.6有效
发明人： 齐藤正夫;植木泰直;川上武司;若目田喜一 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1997-07-29 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： F25D11/00 文献下载
摘要：一种冷却贮藏库，其备有将贮藏室形成于内部且以绝热材料形成的绝热箱体，以及设置于该绝热箱体侧面且内部具有冷凝器与压缩机的机械室，其还包括有：一侧面镶板，其形成大致为∴字形，且与该侧面镶板的边缘接近或接触，并且与侧面镶板一起形成于该机械室侧面。
冷却贮藏

[发明专利]防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备-CN97110533.2无效
发明人： 齐藤正夫;若林大介;热海贵;降屋久 -专利权人：三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 1997-04-09 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明的目的是防止用来向坩埚103用的加热器104提供电流的导电金属电极5，5熔化下坠。开关11控制电源的通断。安培表10a连续地测量流过加热器104的电流。在中间电极6下部出现裂缝8的情况下，在电极5，5熔化下坠之前，由于裂缝8处出现放电现象，电流测量值会出现细小的波动。因此，如果安培表10a测量的电流波动超出允许范围，则控制器12切断开关11，从而切断电极5，5的电源，并防止电极5，5熔化下坠。
防止拉制设备加热器电极熔化下坠