[发明专利]一种IGBT结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310087246.2 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839994B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 胡爱斌;朱阳军;卢烁今;王波;陆江;吴振兴;田晓丽;赵佳 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT结构及其制作方法，属于半导体功率器件。该结构从背面到正面依次包括，P+集电极，N+缓冲层、N‑基底、P+基区、栅极和发射极；其中，P+集电极位于IGBT器件的底部，N+缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，P+型集电极到N‑基底之间依次有第三缓冲层、第二缓冲层和第一缓冲层。本发明可以对IGBT的正向导通压降和关断时间分别优化，从而可以获得更好的导通和关断的折中曲线，进而可以优化IGBT的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT结构，其特征在于，从背面到正面依次包括，P+集电极，N+缓冲层、N‑基底、P+基区、N+发射区、栅极氧化层、栅极和发射极；其中，所述P+集电极位于所述IGBT器件的底部，所述N+缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，所述P+型集电极到所述N‑基底之间依次有所述第三缓冲层、所述第二缓冲层和所述第一缓冲层，所述第一缓冲层的厚度为0.1μm‑2μm，所述第一缓冲层的掺杂浓度为1e15/cm3–5e16/cm3，所述第二缓冲层的厚度为1μm‑20μm，所述第二缓冲层的掺杂浓度为1e12/cm3–1e15/cm3，所述第三缓冲层的厚度为0.5μm‑2μm，所述第三缓冲层的掺杂浓度为5e15/cm3–1e17/cm3；将背金系统Al‑Ti‑Ni‑Ag作为散射层，通过辐照方法形成第二缓冲层。
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