[发明专利]功率MOSFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201310084295.0 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103928514B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 朱馥钰;郑志昌;林东阳;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第一漂移区，形成在栅电极一侧处；和第二漂移区，位于栅电极下方、邻近第一漂移区以及深度小于第一漂移区的深度，使得第一漂移区和第二漂移区一起形成阶梯状。第二漂移区的深度、栅极电介质的深度以及栅电极的深度的总和可以具有与第一漂移区的深度基本相同的值。使用栅电极作为注入掩模的一部分，可以同时形成第一漂移区和第二漂移区。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：提供具有环绕第一区域的多个绝缘区的衬底，其中，所述第一区域从所述衬底的顶面延伸到所述衬底中，所述第一区域具有第一导电类型并具有第一杂质浓度；在所述第一区域上方沉积栅极介电材料并使所述栅极介电材料与所述第一区域接触；在所述栅极介电材料上方沉积栅电极材料并使所述栅电极材料与所述栅极介电材料接触；去除所述栅极介电材料的第一部分和所述栅电极材料的第一部分，以暴露所述第一区域的第一部分；在所述第一区域的第一部分内形成第二区域，所述第二区域具有所述第一导电类型并具有第二杂质浓度；通过去除所述栅极介电材料的第二部分和所述栅电极材料的第二部分暴露所述第一区域的第二部分，在所述第一区域上方形成栅极电介质和栅电极；在所述第一区域的第二部分内形成第一漂移区，其中，所述第一漂移区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且所述第一漂移区具有第三杂质浓度；在所述第一区域内形成第二漂移区，其中，所述第二漂移区具有所述第二导电类型并且具有所述第三杂质浓度，所述第二漂移区位于所述栅电极下方、邻近所述第一漂移区、其深度小于所述第一漂移区的深度，并且所述第一漂移区和所述第二漂移区一起形成阶梯状；邻近所述第一漂移区的所述第二漂移区的边缘与所述栅电极的边缘对准；在所述第二区域内形成所述第二导电类型的源极区；以及在所述第一漂移区内形成所述第二导电类型的漏极区。
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