[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备第一～第四半导体层、栅极、场板电极、绝缘膜、第一、第二主电极及绝缘部。第一、第二半导体层为第一导电型。第二半导体层设置在第一半导体层之上、杂质浓度比第一半导体层低。第三半导体层设置在第二半导体层之上、具有第一部分和第二部分、杂质浓度比第二半导体层低。第四半导体层为第一导电型。栅极从第四半导体层朝第二半导体层延伸、下端处于第二半导体层。场板电极设置在栅极下侧、下端处于第二半导体层。绝缘膜设置在栅极与第四半导体层之间。第一主电极与第一半导体层电连接。第二主电极与第三半导体层及第四半导体层电连接。绝缘部使第一部分与第二部分电绝缘。

主权项

一种半导体装置，具备：第一导电型的第一半导体层；第二半导体层，是设置在上述第一半导体层之上的上述第一导电型的第二半导体层，上述第二半导体层所含的上述第一导电型的杂质的浓度比上述第一半导体层所含的上述第一导电型的杂质的浓度低；第三半导体层，是设置在上述第二半导体层之上的第二导电型的第三半导体层，该第三半导体层具有第一部分和第二部分，该第二部分在与上述第一半导体层和上述第二半导体层的层叠方向垂直的面内包围上述第一部分，上述第三半导体层所含的上述第一导电型的杂质的浓度比上述第二半导体层所含的上述第一导电型的杂质的上述浓度低；设置在上述第一部分之上的第一导电型的第四半导体层；栅极，从上述第四半导体层朝上述第二半导体层延伸，具有位于上述第二半导体层的下端；场板电极，设置在上述栅极的下侧，具有位于上述第二半导体层的下端；绝缘膜，设置在上述栅极与上述第四半导体层之间、上述栅极与上述第一部分之间、上述栅极与上述第二半导体层之间、上述栅极与上述场板电极之间、以及上述场板电极与上述第二半导体层之间；第一主电极，与上述第一半导体层电连接；第二主电极，与上述第三半导体层及上述第四半导体层电连接；以及绝缘部，至少设置在上述第一部分与上述第二部分之间，使上述第一部分与上述第二部分电绝缘。