[发明专利]多芯片系统级封装结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种多芯片系统级封装结构的制作方法，该结构包括具有TSV硅通孔和凸点结构的转接板芯片，一个大尺寸芯片和多个小尺寸芯片或小尺寸芯片的堆叠。本发明将单颗大芯片倒装连接至转接板晶圆；再经转接板晶圆切割、电性能测试；小尺寸芯片或小尺寸芯片堆叠与转接板芯片互连；再次对转接板封装结构进行电性能测试；转接板封装结构与基板互连，形成最终的封装结构。其优点是：本发明的制作方法避免了超薄的硅转接板不易拿持的问题，并显著提高了封装效率和产品的良率，降低了生产成本。

主权项

多芯片系统级封装结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：1） 利用粘结剂将具有垂直硅通孔（2）和凸点（3）结构的转接板晶圆（1）临时键合到承载晶圆（6）上；2） 将大尺寸芯片（7）倒装在转接板晶圆（1）的第一表面并完成互连；3） 完成转接板晶圆（1）和承载晶圆（6）的拆键合，移除承载晶圆（6），形成转接板封装结构；4） 对步骤3形成的转接板封装结构进行第一次电性能测试；5） 将带有单颗大尺寸芯片（7）的转接板晶圆（1）切割成单颗芯片，称为转接板芯片，转接板晶圆（1）的第一表面成为转接板芯片的第一表面；6） 将小尺寸芯片或小尺寸芯片堆叠（8）倒装到电性能良好的转接板芯片的第一表面并完成互连；7） 对步骤6形成的转接板芯片封装结构进行第二次电性能测试；8） 将电性能良好的转接板芯片的第二表面与基板（9）互连，形成最终的封装结构。