[发明专利]分立式场氧结构的半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种分立式场氧结构的半导体器件的制造方法，包括：在晶圆表面生长缓冲氧化层；在缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层；光刻定义出场区并蚀刻，去除场区上的氮化硅；对场区进行离子注入；生长场氧化层；剥除氮化硅层；对晶圆进行湿浸，去除缓冲氧化层和部分的场氧化层；重新在晶圆表面生长缓冲氧化层及在重新生长的缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层；光刻定义出漂移区并蚀刻，去除所述漂移区上的氮化硅；对漂移区进行离子注入；生长漂移区氧化层。本发明在生长场氧化层完成后剥除氮化硅层，这时可以通过调整wet dip的量来优化场氧鸟嘴的长度，解决了场氧鸟嘴过长的问题。

主权项

一种分立式场氧结构的半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在晶圆表面生长缓冲氧化层；在所述缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层；光刻定义出场区并蚀刻，去除所述场区上的氮化硅；对所述场区进行离子注入；进行场区氧化，生长场氧化层；剥除所述氮化硅层；对所述晶圆进行湿浸，去除所述缓冲氧化层和部分的所述场氧化层，以减小所述场氧化层的鸟嘴长度；重新在晶圆表面生长缓冲氧化层及在重新生长的缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层，重新淀积的所述氮化硅层将所述场氧化层完全覆盖；光刻定义出漂移区并蚀刻，去除所述漂移区上的氮化硅；对所述漂移区进行离子注入；进行漂移区氧化，生长漂移区氧化层。