[发明专利]具有阈值电压补偿的存储器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201280048762.8 申请日: 2012-08-24
公开(公告)号: CN103843068B 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 维奥兰特·莫斯基亚诺;托马索·瓦利;乔瓦尼·纳索;维沙尔·萨林;威廉·亨利·拉德克;西奥多·T·皮耶克尼 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/26
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 通过阈值电压安置来控制电荷存储存储器中的阈值电压,以例如提供更可靠操作及减小例如相邻电荷存储元件及寄生耦合等因素的影响。相邻经编程“侵略者”存储器单元的阈值电压的预补偿或后补偿减小了快闪存储器系统中的阈值电压不确定性。使用具有例如查找表等数据结构的缓冲器提供了可编程阈值电压分布,此使得能够特制多电平单元快闪存储器中的数据状态的分布以例如提供更可靠操作。
搜索关键词: 具有 阈值 电压 补偿 存储器 及其 操作方法
【主权项】:
一种操作存储器的方法,其包括:确定在物理上接近于待读取的单元的至少一个侵略者非易失性存储器单元的经编程数据状态,并确定对所述经编程数据状态进行编码的数据的至少一个软位;确定所述待读取的单元的阈值电压,并为经确定的所述阈值电压确定数据的多个硬位,其中所述多个硬位对所述待读取的单元的经确定的所述阈值电压进行编码;及根据所述数据的至少一个软位,将所述多个硬位中的一个硬位确定为读取操作的输出。
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