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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于对具有耦合到控制器的存储器阵列的固态存储器装置进行操作的方法-CN201410243205.2有效
发明人：弗朗姬·鲁帕尔瓦尔;维沙尔·萨林;荣·S·赫埃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于对具有耦合到控制器的存储器阵列的固态存储器装置进行操作的方法。本发明还揭示一种存储器装置，其适合于接收且发射代表两个或两个以上位的模拟数据信号，以便相对于传达指示个别位的数据信号的装置而促进数据传送速率的增大。控制器和读取/写入通道将数字位模式转换为待以特定位容量等级存储在存储器阵列中的模拟数据信号以便实现所要等级的可靠性。
用于具有耦合控制器存储器阵列固态装置进行操作方法

[发明专利]存储器装置和用于执行选定存储器单元的感测操作的方法-CN201410036255.3有效
发明人： 维沙尔·萨林;辉俊胜;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G11C27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态存储器装置中的存储器单元的模拟感测.本发明揭示一种存储器装置，其包含耦合到位线的取样与保持电路。所述取样与保持电路存储选定存储器单元的目标阈值电压。编程所述存储器单元且接着以经斜升读取电压检验所述存储器单元。将接通所述存储器单元的所述读取电压存储在所述取样与保持电路中。通过比较器电路将所述目标阈值电压与所述读取电压进行比较。当所述读取电压至少大致等于(即，大致等于且/或开始超过)所述目标阈值电压时，所述比较器电路产生禁止信号。
固态存储器装置中的单元模拟

[发明专利]存储器装置编程窗口调整-CN201310359173.8有效
发明人： 维沙尔·萨林;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;乔纳森·帕布斯坦;辉俊胜 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储器装置编程窗口调整。在一个或一个以上实施例中，将一种存储器装置揭示为具有可调整编程窗口，所述可调整编程窗口具有多个可编程电平。移动所述编程窗口以补偿当所述存储器装置经历例如改变所述编程窗口的擦除/编程循环等因素时可达到的可靠编程及擦除阈值中的改变。在初始擦除/编程循环之前确定初始编程窗口。接着在所述编程窗口改变时移动所述编程电平，使得多个可编程电平仍保留在所述编程窗口内且随所述编程窗口改变而被追踪。
存储器装置编程窗口调整

[发明专利]具有阈值电压补偿的存储器及其操作方法-CN201280048762.8有效
发明人：维奥兰特·莫斯基亚诺;托马索·瓦利;乔瓦尼·纳索;维沙尔·萨林;威廉·亨利·拉德克;西奥多·T·皮耶克尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：通过阈值电压安置来控制电荷存储存储器中的阈值电压，以例如提供更可靠操作及减小例如相邻电荷存储元件及寄生耦合等因素的影响。相邻经编程“侵略者”存储器单元的阈值电压的预补偿或后补偿减小了快闪存储器系统中的阈值电压不确定性。使用具有例如查找表等数据结构的缓冲器提供了可编程阈值电压分布，此使得能够特制多电平单元快闪存储器中的数据状态的分布以例如提供更可靠操作。
具有阈值电压补偿存储器及其操作方法

[发明专利]编程方法及存储器-CN201280033629.5有效
发明人： 维沙尔·萨林;威廉·H·拉德克;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明揭示编程存储器的方法及存储器。在至少一个实施例中，通过确定选定单元的预目标阈值电压来编程存储器，其中使用所述选定单元的至少一个相邻单元的预目标阈值电压值来确定所述预目标阈值电压。
编程方法存储器

[发明专利]存储器装置中的感测操作-CN201180012913.X有效
发明人：乔纳森·帕布斯坦;维沙尔·萨林;德隆·恩古耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明揭示用于感测的方法、用于编程的方法、存储器装置及存储器系统。在用于感测的一个此种方法中，计数电路产生计数输出及经翻译计数输出。将所述计数输出转换成偏置耦合到正感测的存储器单元的字线的时变电压。将每一存储器单元的目标数据存储于与所述特定存储器单元相关联的数据高速缓冲存储器中。当检测到存储器单元已接通时，将与指示接通所述存储器单元的电压电平的所述计数输出相关联的所述经翻译计数输出与所述目标数据进行比较。所述比较确定所述存储器单元的状态。
存储器装置中的操作

[发明专利]存储器装置中的数据传送及编程-CN200980143155.8有效
发明人： 维沙尔·萨林;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供用于数据传送及/或编程存储器装置的方法、存储器装置及存储器系统。根据至少一个此种方法，将额外数据附加到原始数据且在选定存储器单元中编程所得数据。所述所附加的数据增加所述原始数据的编程阈值电压容限。所述所附加的数据可为所述原始数据的复制品或若干逻辑零。举例来说，当读取所述选定存储器单元时，存储器控制电路可仅读取MSB字段中的所述原始数据，或所述存储器控制电路可读取所述整个经编程的数据并忽略LSB字段。
存储器装置中的数据传送编程

[发明专利]固态存储器装置中的模拟读取与写入路径-CN200980112218.3有效
发明人：弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;维沙尔·萨林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：存储器装置中的存储器阵列耦合到使得能够将模拟电压电平写入到所述存储器阵列的模拟I/O数据接口。所述I/O接口由多个模拟数据路径构成，所述多个模拟数据路径各自包含用于存储对应于耦合到其相应数据路径的选定存储器单元待编程到的目标电压的电荷的电容器。所述I/O接口中可包含多个比较器，其中每一此比较器耦合到相应位线。此比较器可将选定存储器单元的阈值电压与其目标电压进行比较并在所述阈值电压等于或超过所述目标电压时禁止进一步的编程。
固态存储器装置中的模拟读取写入路径

[发明专利]感测存储器单元-CN200880119378.6有效
发明人： 维沙尔·萨林;辉俊胜;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;朱利奥-朱塞佩·马罗塔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明包括用于操作存储器单元的方法、装置、模块及系统。一个方法实施例包括将斜变电压(503)施加到存储器单元的控制栅极(505)及施加到模/数转换器(ADC)(507)。一种方法的前述实施例还包括至少部分地响应于所述斜变电压何时致使所述存储器单元使感测电路跳脱(511)而检测所述ADC的输出(515)。
存储器单元

[发明专利]用于从快闪存储器读取数据的方法及设备-CN200880117050.0有效
发明人：弗朗姬·鲁帕尔瓦尔;维沙尔·萨林;威廉·拉德克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明揭示方法及设备，例如涉及包含存储器单元阵列(100)的快闪存储器装置的那些方法及设备。一种此类方法包含检测存储于所述存储器单元阵列中的选定存储器单元中的电荷值。所述方法还包含根据维特比(Viterbi)算法处理所述所检测值以确定存储于所述选定存储器单元中的数据。在一个实施例中，所述快闪存储器单元阵列(100)包含字线WL0到WLN及位线BL0到BLM。检测所述电荷值包含通过选择所述字线中的一者来检测存储于选定存储器单元行中的电荷值。所述维特比算法在所述单元之间的信号间干扰影响读取数据的准确度的情形下提供校正数据。例如，可使用所述维特比算法来补充错误校正码(ECC)。
用于闪存读取数据方法设备

[发明专利]用于M位存储器单元的M+N位编程和M+L位读取-CN200880117048.3有效
发明人： 维沙尔·萨林;辉俊胜;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明描述一种存储器装置以及编程和/或读取过程，其以比所需阈值电压分辨率高的阈值电压分辨率来编程和/或读取存储器阵列中的单元。在编程非易失性存储器单元的过程中，此允许在编程期间放置更准确的阈值电压，且使得能够对编程干扰进行预补偿，从而增加对所述单元的任何后续读取或验证操作的准确度。在读取/感测存储器单元的过程中，增加的阈值电压分辨率允许更准确地解译所述存储器单元的经编程状态，且还使得能够更有效地使用例如卷积码、部分响应最大似然(PRML)、低密度奇偶校验(LDPC)、涡轮码和网格调制编码和/或解码等概率性数据编码技术，从而降低所述存储器的总错误率。
用于存储器单元编程读取

[发明专利]感测NAND快闪中的存储器单元-CN200880111715.7有效
发明人：弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;维沙尔·萨林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-10-01 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：本发明描述一种模拟电压NAND架构非易失性存储器数据读取/检验过程及电路，其利用源极随耦器电压感测来感测非易失性单元中的模拟电压。在源极随耦器感测或读取操作中，通过向源极线施加升高的电压、将升高的通过电压(Vpass)置于NAND架构快闪存储器阵列的NAND串中的未选单元的栅极上以将所述栅极置于通过贯通操作模式中以及向选定单元的栅极施加读取栅极电压(Vg)来读取所述串中的单元的经编程阈值电压。所述选定存储器单元起源极随耦器的作用以将经耦合的位线上的电压设定为所述读取栅极电压减去所述单元的阈值电压(Vg-Vt)，从而允许对所述单元的电压进行直接感测或取样。
感测 nand 中的存储器单元

[发明专利]存储器装置编程窗口调整-CN200880111474.6有效
发明人： 维沙尔·萨林;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;乔纳森·帕布斯坦;辉俊胜 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：在一个或一个以上实施例中，将一种存储器装置揭示为具有可调整编程窗口，所述可调整编程窗口具有多个可编程电平。移动所述编程窗口以补偿当所述存储器装置经历例如改变所述编程窗口的擦除/编程循环等因素时可达到的可靠编程及擦除阈值中的改变。在初始擦除/编程循环之前确定初始编程窗口。接着在所述编程窗口改变时移动所述编程电平，使得多个可编程电平仍保留在所述编程窗口内且随所述编程窗口改变而被追踪。
存储器装置编程窗口调整

[发明专利]多级单元NAND中的非相等阈值电压范围-CN200880111056.7有效
发明人：弗朗姬·鲁帕尔瓦尔;维沙尔·萨林;俊·S·辉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-10-08 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：适于处理及产生表示两个或两个以上信息位的数据值的模拟数据信号的存储器装置相对于仅处理及产生指示个别位的二进制数据信号的装置促进数据传送速率的增加。所述存储器装置的编程包括编程到表示所要位模式的目标阈值电压范围。读取所述存储器装置包括产生指示目标存储器单元的阈值电压的模拟数据信号。由于编程干扰在较高阈值电压下较低，因此所述存储器单元的阈值电压范围针对包括较低阈值电压的范围具有较大范围大小且针对包括较高阈值电压的范围具有较小范围大小。
多级单元 nand 中的相等阈值电压范围

[发明专利]减少半导体装置中的噪声-CN200880106617.4有效
发明人： 维沙尔·萨林;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;辉俊胜 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明包含用于减少半导体装置中的噪声的方法、装置、模块及系统。一个方法实施例包含向半导体装置的控制栅极施加复位电压达一时间周期。所述方法进一步包含在施加所述复位电压之后感测所述半导体装置的状态。
减少半导体装置中的噪声

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