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[发明专利]用于同时存取存储器的不同存储器平面的设备及方法-CN201580043743.X有效
发明人： 西奥多·T·皮耶克尼;载官·朴;维奥兰特·莫斯基亚诺;米凯莱·因卡尔纳蒂;卢卡·德桑蒂斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本文中揭示用于针对不同存储器平面执行同时存储器存取操作的设备及方法。实例性设备可包含具有多个存储器平面的存储器阵列。所述多个存储器平面中的每一者包括多个存储器单元。所述设备可进一步包含经配置以接收存储器命令与地址对群组的控制器。所述存储器命令与地址对群组中的每一者可与所述多个存储器平面中的相应存储器平面相关联。所述控制器可经配置以同时执行和所述存储器命令与地址对群组中的每一者相关联的存储器存取操作，而不管与所述群组中的所述对相关联的页类型如何(例如，即使所述存储器命令与地址对中的两者或两者以上可与不同页类型相关联)。
用于同时存取存储器不同平面设备方法

[发明专利]用于读取对应于与读取命令相关联的多个地址的数据的存储器-CN201910727386.9在审
发明人：维普·帕特尔;西奥多·T·皮耶克尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请涉及用于读取对应于与读取命令相关联的多个地址的数据的存储器。本发明涉及存储器和并入有类似存储器的系统以及其操作，其中所述存储器可包含存储器单元阵列、状态寄存器和经配置以存取所述存储器单元阵列的控制器。所述控制器可经进一步配置以响应于与多个地址相关联的读取命令而对所述存储器单元阵列执行多个读取操作，响应于对应于所述多个地址中的特定地址的特定读取操作的数据可用于由外部装置读出，将特定值存储到所述状态寄存器，并响应于对应于所述多个地址中的不同地址的不同读取操作的数据可用于由所述外部装置读出，将不同值存储到所述状态寄存器。
用于读取对应命令相关地址数据存储器

[发明专利]具有阈值电压补偿的存储器及其操作方法-CN201280048762.8有效
发明人：维奥兰特·莫斯基亚诺;托马索·瓦利;乔瓦尼·纳索;维沙尔·萨林;威廉·亨利·拉德克;西奥多·T·皮耶克尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：通过阈值电压安置来控制电荷存储存储器中的阈值电压，以例如提供更可靠操作及减小例如相邻电荷存储元件及寄生耦合等因素的影响。相邻经编程“侵略者”存储器单元的阈值电压的预补偿或后补偿减小了快闪存储器系统中的阈值电压不确定性。使用具有例如查找表等数据结构的缓冲器提供了可编程阈值电压分布，此使得能够特制多电平单元快闪存储器中的数据状态的分布以例如提供更可靠操作。
具有阈值电压补偿存储器及其操作方法

[发明专利]从存储器输出特定数据量化-CN201280006125.4有效
发明人： 西奥多·T·皮耶克尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明包含用于从存储器装置及系统输出数据特定数据量化的方法、装置及系统。输出数据特定数据量化可包含启用多个不同数据量化中的特定者。接着可输出所述多个数据量化中的所述特定者。
存储器输出特定数据量化

[发明专利]用于同步串行接口NAND的数据读取的系统及方法-CN200880111948.7有效
发明人： 西奥多·T·皮耶克尼;维克托·Y·蔡;彼得·S·菲利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于操作NAND存储器装置的方法及系统。所述NAND存储器装置通过将串行外围设备接口信号从主机传输到NAND存储器装置来操作，借此在不将所述信号修改成标准NAND存储器格式的情况下，将所述信号传送到所述NAND存储器装置中的NAND存储器。类似地，本发明揭示一种用于在不将信号从标准NAND格式修改成串行格式的情况下从NAND存储器装置接收信号的方法及系统。所述系统还并入有错误检测及校正技术来检测及校正存储于所述NAND存储器装置中的数据中的错误。
用于同步串行接口 nand 数据读取系统方法

[发明专利]串行接口NAND-CN200880111959.5有效
发明人： 西奥多·T·皮耶克尼;杰夫·余 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-09-30 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供包括经由SPI接口(16)操作NAND存储器装置(14)的实施例。一种此类方法(30)包括高速缓冲存储器加载(32)NAND存储器装置(14)，其包括：将数据加载到所述NAND存储器装置(14)的高速缓冲存储器(20)中；将数据从所述NAND存储器装置(14)的所述高速缓冲存储器(20)写入(34)到所述NAND存储器装置(14)的存储器阵列(22)的地址；及轮询(36)以确定所述正被写入的数据的状态。此外，一种此类方法(106)包括经由SPI接口(16)在NAND存储器装置(14)中高速缓存数据，其包含：将第一数据加载(108)到所述NAND存储器装置(14)的高速缓冲存储器(20)；将所述第一数据写入(110)到所述NAND存储器装置(14)的NAND存储器阵列(22)的第一地址(88)；轮询所述高速缓冲存储器(20)的状态(112、114)；如果轮询指示所述高速缓冲存储器(20)就绪，则用第二数据加载所述高速缓冲存储器(20)的一部分(116)；轮询所述高速缓冲存储器(20)及所述NAND存储器装置(14)的状态(118、120)；及如果轮询指示所述高速缓冲存储器(20)就绪且所述装置(14)就绪，则将所述第二数据写入(124)到所述NAND存储器装置(14)的所述NAND存储器阵列(22)的第二地址(90)。
串行接口 nand

[发明专利]用于同步串行接口NAND的设定存取及修改的系统及方法-CN200880111950.4有效
发明人： 西奥多·T·皮耶克尼;维克托·Y·蔡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明包括一种使用从主装置到NAND快闪存储器装置的串行外围接口(SPI)通信来修改所述NAND快闪存储器装置的设定的系统及方法。一个实施例大体上包括：将启用信号发送到第一存储器电路输入；将时钟信号发送到第二存储器电路输入；将与所述时钟信号同步的命令信号发送到第三存储器电路输入；将与所述时钟信号同步的存储器寄存器地址信号发送到所述第三存储器电路输入；及将与所述时钟信号同步的设定信号发送到所述第三存储器电路输入。
用于同步串行接口 nand 设定存取修改系统方法

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