[发明专利]功率器件及功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210586975.8 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187437A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋;金基世 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/861;H01L29/772;H01L21/04;H01L21/335;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及功率器件及功率器件的制造方法。功率器件包括：衬底；位于所述衬底的一个表面上的SiXC1-X层，其中0＜x＜1；以及通过刻蚀一部分所述SiXC1-X层并从所述SiXC1-X层的刻蚀区域处生长GaN而形成的再生长GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件，包括：衬底；SiXC1‑X层，其位于所述衬底的一个表面上，其中0＜x＜1；以及再生长GaN层，通过刻蚀一部分所述SiXC1‑X层并从所述SiXC1‑X层的刻蚀区域处生长GaN而形成所述再生长GaN层。
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