[发明专利]带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210585600.X | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103022139B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;王全 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一带有绝缘埋层的半导体结构，包括支撑衬底、通过绝缘埋层与所述支撑衬底隔离的顶层半导体层，形成于所述顶层半导体层上的MOS晶体管结构，其特征在于，所述顶层半导体层和绝缘埋层之间还包括半导体缓冲层，且所述半导体缓冲层材料的禁带宽度大于所述顶层半导体层材料的禁带宽度。本发明还公开了带有绝缘埋层的半导体结构制备方法，将覆盖有绝缘埋层的第一半导体衬底和覆盖有半导体缓冲层的第二半导体衬底键合，并将第二半导体衬底减薄作为顶层半导体层，用于制备半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 绝缘 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有绝缘埋层的半导体结构，包括：支撑衬底、通过绝缘埋层与所述支撑衬底隔离的顶层半导体层，形成于所述顶层半导体层上的MOS晶体管结构，环绕所述MOS晶体管的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述顶层半导体层和绝缘埋层之间还包括半导体缓冲层，所述浅沟槽隔离结构包括形成于沟槽中的绝缘层和位于绝缘层与顶层半导体层间的半导体缓冲层，且所述半导体缓冲层材料的禁带宽度大于所述顶层半导体层材料的禁带宽度。
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