[发明专利]半导体二极管封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210577881.4 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103904192A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 赖志成 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;B23K3/00;B23K3/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种半导体二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:提供焊接设备,该焊接设备包括烘烤装置、吸嘴及配套控制系统;提供基板承载于烘烤装置上;提供二极管芯片贴合至与基板的顶面上,二极管芯片与基板之间设置有焊料,得到半成品;按照额定功率对基板供电使二极管芯片工作,对应调整二极管芯片在基板上的定位;所述控制系统根据额定功率计算半成品的温升而控制焊接过程。与现有技术相比,本发明的半导体二极管封装结构的制造方法中利用所述焊接设备的控制系统控制二极管芯片与基板之间进行焊接过程,避免焊接过程中对烘烤温度反应不及时而造成半导体二极管封装结构的损坏,方法易操作,生产效率较高。
搜索关键词: 半导体 二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:步骤一,提供焊接设备,该焊接设备包括烘烤装置、吸嘴及配套控制系统;步骤二,提供基板承载于焊接设备的烘烤装置上;步骤三,提供二极管芯片,利用吸嘴吸取并携带二极管芯片贴合至与基板的顶面上,二极管芯片与基板之间设置有焊料,得到所述半导体二极管封装结构的半成品;步骤四,按照半导体二极管封装结构的额定功率对基板供电使二极管芯片工作,根据二极管芯片工作状况对应调整二极管芯片在基板上的定位,并向焊接设备的控制系统输入半导体二极管封装结构的额定功率;步骤五,在二极管芯片在基板上的定位完成后,所述控制系统根据额定功率计算半成品的温升而控制所述烘烤装置对二极管芯片及基板进行焊接过程,完成焊接过程后得到所述半导体二极管封装结构。
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