[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201210559698.1 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103050380A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王哲献 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供具有存储区、逻辑区和电容区的半导体衬底，存储区的半导体衬底表面具有闪存栅极结构；分别在闪存栅极结构表面和电容区表面形成第一介质层、以及第一介质层表面的第一多晶硅层；分别在电容区的第一多晶硅层表面、以及逻辑区的半导体衬底表面形成第二介质层、以及第二介质层表面的第二多晶硅层；在电容区的第一多晶硅层和第二多晶硅层表面分别形成导电插塞。所述半导体器件的形成方法形成工艺简化，工艺成本降低，生产效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存储区、逻辑区和电容区，所述存储区的半导体衬底表面具有闪存栅极结构；在存储区、逻辑区和电容区形成覆盖半导体衬底和闪存栅极结构表面的第一介质薄膜、以及所述第一介质薄膜表面的第一多晶硅薄膜；刻蚀部分第一多晶硅薄膜和第一介质薄膜，在所述闪存栅极结构表面和电容区表面形成第一介质层、以及所述第一介质层表面的第一多晶硅层；在形成第一多晶硅层之后，在存储区、逻辑区和电容区形成覆盖所述半导体衬底、闪存栅极结构和第一多晶硅层表面的第二介质薄膜、以及第二介质薄膜表面的第二多晶硅表面；刻蚀部分第二多晶硅薄膜和第二介质薄膜，在电容区的第一多晶硅层表面、以及逻辑区的半导体衬底表面形成第二介质层、以及第二介质层表面的第二多晶硅层；在电容区的第一多晶硅层和第二多晶硅层表面分别形成导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
