[发明专利]提高半导体器件可微缩性的方法在审
| 申请号： | 201210507671.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969280A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高半导体器件可微缩性的方法包括：在浅槽隔离工艺完成后，有源区两侧分别是第一隔离区和第二隔离区，从而自然地形成凹槽结构；在硅片表面上沉积氧化物层，所述氧化物层厚度小于1/2的有源区宽度，典型厚度为1/3；对氧化物层进行各向异性刻蚀，从而在第一隔离区侧形成第一侧壁氧化物，在第二隔离区侧形成第二侧壁氧化物；在第一侧壁氧化物以及第二侧壁氧化物之间通过选择性外延生长硅单晶层；通过选择性刻蚀去除第一侧壁氧化物、第二侧壁氧化物和其下的衬垫氧化层，从而在有源区上方形成硅凸起部。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 半导体器件 微缩 方法 | ||
【主权项】：
一种提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于包括：第一步骤，在浅槽隔离工艺完成后，有源区两侧分别是第一隔离区和第二隔离区，从而自然地形成凹槽结构，有源区表面的衬垫氧化层来自之前的隔离工艺；第二步骤，用于在硅片表面上沉积氧化物层，所述氧化物层厚度小于1/2的有源区宽度；第三步骤，用于对氧化物层和衬垫氧化层进行各向异性刻蚀，从而在第一隔离区侧形成自对准的第一侧壁氧化物，在第二隔离区侧形成自对准的第二侧壁氧化物；第四步骤，用于在第一侧壁氧化物以及第二侧壁氧化物之间生长填充硅；第五步骤，用于通过选择性湿法刻蚀去除第一侧壁氧化物、第二侧壁氧化物和其下的衬垫氧化物，从而在有源区上方形成硅凸起部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
