[发明专利]锗硅HBT工艺中的横向寄生PNP器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中横向寄生PNP器件，具有由发射区窗口介质和发射极多晶硅形成的阻挡区，降低了基区扩散电流，发射区和集电区之间由锗硅窗口介质和锗硅多晶硅形成的隔离区，隔离区下由N型外延组成基区，基区有集电极下沉通道连接。本发明所述的锗硅HBT工艺中横向寄生PNP器件，其俯视图为多边形，发射极中心形成多边形环，降低基极电流，发射极和集电极之间用锗硅介质层做隔离，提高了发射极面积及降低基区宽度，提高了器件的直流方法倍数。本发明还公开了所述锗硅HBT器件的制造工艺方法。

主权项

一种锗硅HBT工艺中的横向寄生PNP器件，其特征在于：包含：发射区，在器件的俯视角度上是一个P型重掺杂的的多边形环，在环形发射区的中间是一个由锗硅HBT的发射极窗口介质及多晶硅的形成的多边形阻挡；基区，是由N型埋层上的低掺杂的N型外延层组成，并由埋层和基区下沉通道引出；集电区，由低掺杂的P型离子注入区及重掺杂引出区组成，集电区上方的硅表面覆盖金属硅化物；在N型外延层表面，发射区和集电区之间的外延表面由介质层及锗硅外延作隔离，集电区和基区之间用浅沟槽或场氧隔离；环形发射区及环形发射区的包围区域覆盖锗硅外延，，且环形发射区包围区域的锗硅外延上方依次覆盖有介质层及多晶硅，多晶硅上覆盖金属硅化物；基区下沉通道上方的硅表面依次覆盖多晶硅及金属硅化物；发射区上方的锗硅外延上也覆盖金属硅化物；整个器件表面具有层间介质，各接触孔分别穿通层间介质接触到所述基区下沉通道、集电区以及发射区上方锗硅外延上的金属硅化物，将寄生PNP管的基区、集电区以及发射区引出，形成所述寄生PNP管的基极、集电极及发射极。