[发明专利]一种超级结MOSFET、该超级结MOSFET的形成方法在审
| 申请号： | 201210468002.4 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103824884A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 钟树理;朱超群;万祎;曾爱平;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有均衡结构的超级结MOSFET，其包括形成在衬底上的元胞区和包围所述元胞区的终端区，所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽，所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层，所述沟槽之间为第二导电类型的第二外延层，所述终端区的沟槽沿从外向里的方向的排布方式一致。本发明的超级结MOSFET沿从终端区向元胞区的方向上，终端区各边的沟槽排布方式一致，即终端区各边的沟槽都沿从外向里的方向垂直排布，或终端区各边的沟槽都沿从外向里的方向平行排布。终端区各边的沟槽排布方式一致，使该超级结MOSFET的高压大电流的泄放在各边是平均的，泄流通道更大，泄流能力就更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 mosfet 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结MOSFET结构，其特征在于，包括元胞区和终端区，所述终端区包围所述元胞区，所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽，所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层，所述沟槽之间为第二导电类型的第二外延层，所述终端区各边的沟槽沿从外向里的方向的排布方式一致。
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