[发明专利]半导体存储器件及其读取方法和数据储存器件有效
| 申请号： | 201210465995.X | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103137197B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李完燮 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 石卓琼,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有多电平存储器单元的半导体存储器件的读取方法，包括以下以下步骤读取标志数据，所述标志数据指示编程在多电平存储器单元中的数据的最高有效位（MSB）是否被编程；储存读取的标志数据；基于读取的标志数据，读取编程在多电平存储器单元的数据的最低有效位（LSB）；以及基于储存的标志数据，读取编程在多电平存储器单元中的数据的MSB。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 读取 方法 数据 储存 | ||
【主权项】：
一种具有多电平存储器单元的半导体存储器件的读取方法，包括以下步骤：读取标志数据，所述标志数据指示编程在所述多电平存储器单元内的数据的最高有效位是否被编程；储存读取的标志数据；基于所述读取的标志数据，读取编程在所述多电平存储器单元内的数据的最低有效位；以及基于储存的标志数据，读取编程在所述多电平存储器单元内的数据的最高有效位，其中，当在读取最低有效位的步骤之后立刻要求读取最高有效位的读取操作时，基于所述储存的标志数据来执行读取最高有效位的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210465995.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
