[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210461390.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103515438A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 小野昇太郎;泉沢优;大田浩史;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高可靠性的半导体装置。半导体装置具备：第1半导体区域；第2半导体区域；设置于第2半导体区域，在相对第1半导体区域和第2半导体区域的叠层方向大致正交的第1方向并排设置的多个第3半导体区域；设置在元件区域的多个第3半导体区域上的第4半导体区域；设置在第4半导体区域上的第5半导体区域；隔着第1绝缘膜与第2半导体区域、第4半导体区域及第5半导体区域相接的第1电极；与第4半导体区域及第5半导体区域电连接的第2电极；与第1半导体区域电连接的第3电极；在接合终端区域的多个第3半导体区域及第2半导体区域上并排设置在第1方向的多个第4电极；与第3电极电连接，设置在多个第4电极的至少1个上的第5电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，是具有元件区域以及包围上述元件区域的接合终端区域的纵型的半导体装置，该半导体装置具备：第1导电型的第1半导体区域，设置于元件区域以及上述接合终端区域；第1导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上；第2导电型的多个第3半导体区域，被插入上述第2半导体区域，且并排设置在相对于上述第1半导体区域和上述第2半导体区域的叠层方向大致正交的第1方向；第2导电型的第4半导体区域，设置在上述元件区域的上述多个第3半导体区域的至少1个之上；第1导电型的第5半导体区域，设置在上述第4半导体区域之上；第1电极，隔着第1绝缘膜与上述第2半导体区域、上述第4半导体区域、以及上述第5半导体区域相接；第2电极，与上述第4半导体区域以及上述第5半导体区域电连接；第3电极，与上述第1半导体区域电连接；多个第4电极，在上述接合终端区域的上述多个第3半导体区域之上以及在上述接合终端区域的上述第2半导体区域之上，隔着第2绝缘膜并排设置于上述第1方向；以及第5电极，与上述第3电极电连接，隔着第3绝缘膜设置在上述多个第4电极的至少一个之上。
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