[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210415041.8 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779279B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 韦庆松;于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括步骤S101提供半导体衬底，该半导体衬底包括将其分成NMOS区和PMOS区的浅沟槽隔离以及分别位于所述NMOS区和PMOS区的NMOS和PMOS的栅极结构、栅极偏移侧壁和栅极主侧壁；步骤S102在所述PMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上形成锗硅层；步骤S103在与所述浅沟槽隔离相邻的所述NMOS和PMOS各自的栅极主侧壁的外侧分别形成保护侧壁，其中，临近所述浅沟槽隔离的所述保护侧壁延伸至所述浅沟槽隔离的表面以下。本发明的半导体器件的制造方法，由于增加了在栅极主侧壁外侧形成延伸至STI表面的保护侧壁的工艺，避免了与STI相邻位置的阻挡层缺损、高k介电层缺损及金属栅极底部凸起等不良，提高了器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括将其分成NMOS区和PMOS区的浅沟槽隔离以及分别位于所述NMOS区和PMOS区的NMOS和PMOS的栅极结构、栅极偏移侧壁和栅极主侧壁；步骤S102：在所述PMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上形成锗硅层，其中，在形成所述硅锗层时，部分所述浅沟槽隔离被去除；步骤S103：在与所述浅沟槽隔离相邻的所述NMOS和PMOS各自的栅极主侧壁的外侧分别形成保护侧壁，其中，临近所述浅沟槽隔离的所述保护侧壁延伸至所述浅沟槽隔离的表面以下，以密封所述浅沟槽隔离的侧壁；步骤S104：在所述NMOS的源极、漏极以及所述PMOS的源极、漏极上形成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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