[发明专利]一种半导体气密封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210389643.0 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165569A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吕绍萍 | 申请（专利权）人： | 同欣电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/31;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明系揭露一种半导体封装结构及其制造方法，其包含：一基板、一第一导体层、一半导体元件、一第二导体层，以及一上盖。该基板具一第一表面与一第二表面；该第一导体层设置于该基板的该第一表面；该半导体元件电性连接于该第一导体层；该第二导体层设置于该基板第一表面，围绕该导体元件与该第一导体层，且该第二导体层高度高于该第一导体层；该上盖粘着于该第二导体层上端，以密封该半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 气密 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，至少包含：一基板，该基板具有第一表面、第二表面，以及金属接点，该金属接点从该基板的该第一表面贯穿该基板至该第二表面；一第一导体层，该第一导体层设置于该基板的该第一表面，且连接该金属接点；一半导体元件，该半导体元件电性连接至该第一导体层于该基板的该第一表面；一第二导体层，该第二导体层设置于该基板的该第一表面，且围绕该第一导体层与该半导体元件，且该第二导体层高度高于该第一导体层；以及一上盖，该上盖粘接至该第二导体层顶部，以封装该半导体元件。
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