[发明专利]一种半导体气密封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，至少包含：

一基板，该基板具有第一表面、第二表面，以及金属接点，该金属接点从该基板的该第一表面贯穿该基板至该第二表面；

一第一导体层，该第一导体层设置于该基板的该第一表面，且连接该金属接点；

一半导体元件，该半导体元件电性连接至该第一导体层于该基板的该第一表面；

一第二导体层，该第二导体层设置于该基板的该第一表面，且围绕该第一导体层与该半导体元件，且该第二导体层高度高于该第一导体层；以及

一上盖，该上盖粘接至该第二导体层顶部，以封装该半导体元件。

2.如权利要求1所述的一种半导体封装结构，该基板为陶瓷基板。

3.如权利要求1所述的一种半导体封装结构，进一步包含一第三导体层，该第三导体层设置于该基板的该第一表面与该第二导体层之间，并围绕该第一导体层。

4.如权利要求1所述的一种半导体封装结构，进一步包含一表面处理层，该表面处理层以电镀处理于该第一导体层与该第二导体层的表面。

5.如权利要求3所述的一种半导体封装结构，其进一步包含一表面处理层，其中该表面处理层电镀处理于该第一导体层、该第二导体层与该第三导体层的表面。

6.如权利要求1所述的一种半导体封装结构，其中该上盖材料选自金属、合金、金属复合材料、塑胶、陶瓷及其组合所构成的群组。

7.如权利要求1所述的一种半导体封装结构，其中该半导体元件与该第一导体层系以一导线用以电性连接，且该导线为导电材质。

8.如权利要求1所述的一种半导体封装结构，其中该半导体元件与该第一导体层透过接触点电性连接，且该接触点为导电材质。

9.如权利要求4所述的一种半导体封装结构，再进一步包含一重新分配层，该重新分配层电镀于该基板第二表面，并电性连接该金属接点，其中该重新分配层表面电镀该表面处理层。

10.如权利要求5所述的一种半导体封装结构，进一步包含一重新分配层，该重新分配层电镀于该基板第二表面，并电性连接该金属接点，其中该重新分配层表面电镀该表面处理层。

11.如权利要求4所述的一种半导体封装结构，其中该表面处理层选自银、金、镍、钯及其组合所构成的群组。

12.如权利要求5所述的一种半导体封装结构，其中该表面处理层选自银、金、镍、钯及其组合所构成的群组。

13.如权利要求9所述的一种半导体封装结构，其中该表面处理层选自银、金、镍、钯及其组合所构成的群组。

14.如权利要求10所述的一种半导体封装结构，其中该表面处理层选自银、金、镍、钯及其组合所构成的群组。

15.如权利要求2所述的一种半导体封装结构，其中该陶瓷基板为多层陶瓷基板。

16.一种半导体封装结构的制造方法，其包含：

提供一基板，该基板具第一表面与第二表面，且具有一贯穿该基板第一表面至第二表面的开孔；

形成金属接点于该开孔；

电镀第一导体层于该基板的第一表面，且该第一导体层电性连接至该金属接点；

再电镀第二导体层于该基板的第一表面，且该第二导体层围绕该半导体元件与该第一导体层，并且该第二导体层的高度高于该第一导体层；

于该基板第一表面，一半导体元件电性连结至该第一导电层；以及

于该第二导体层的顶部粘贴一上盖，用以气密封装该半导体元件。

17.如权利要求16所述的一种半导体封装结构的制造方法，其中该基板为陶瓷基板。

18.如权利要求16所述的一种半导体封装结构的制造方法，于步骤(d)与步骤(e)之间，进一步包含以下步骤：

以电镀一表面处理层于该第一导体层与该第二导体层的表面，且该表面处理层选自银、金、镍、钯及其组合所构成的群组。

19.如权利要求18所述的一种半导体封装结构的制造方法，其中该表面处理层系电化学电镀沉积形成。

20.如权利要求16所述的一种半导体封装结构的制造方法，其中该上盖材料选自金属、合金、金属复合材料、塑胶、陶瓷及其组合所构成的群组。