[发明专利]半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。

主权项

一种半导体器件，包括：第一连接构件，所述第一连接构件包括形成在所述第一连接构件的第一主表面上的第一连接焊垫；第一/快速半导体芯片，所述第一/快速半导体芯片包括其上形成半导体集成电路的电路形成表面以及形成在所述电路形成表面上的第二连接焊垫，所述第一/快速半导体芯片以所述电路形成表面面向所述第一主表面的方式安装在所述第一连接构件上；以及钎料凸块，所述钎料凸块将所述第一连接焊垫连接到所述第二连接焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中所述钎料凸块包括形成为靠近所述第二连接焊垫的第一界面层、形成为靠近所述第一连接焊垫的第二界面层、形成为靠近所述第一界面层或所述第二界面层中的任一个的第一中间区域、以及形成为靠近所述第一界面层和所述第二界面层中的另一个并且形成为靠近所述第一中间区域的第二中间区域；所述第一中间区域中的Bi的浓度高于所述第一中间区域中的Sn的浓度；以及所述第二中间区域中的Sn的浓度高于所述第二中间区域中的Bi的浓度。